• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    Eine Justiereinrichtung mit einer Aufnahmeeinrichtung (4) zur Aufnahme eines Wafers (2) auf einer Aufnahmeseite (4a) der Aufnahmeeinrichtung (4), wobei die Aufnahmeeinrichtung (4) mindestens eine im Wesentlichen orthogonal zur Aufnahmeseite (4a) gerichtete Durchtrittsöffnung (5) aufweist, ist dadurch gekennzeichnet, dass die Durchtrittsöffnung (5) auf der der Aufnahmeseite (4a) abgewandten Eintrittsseite (4b) der Durchtrittsöffnung (5), ...
    公开号:DE102004024649A1
    申请号:DE200410024649
    申请日:2004-05-18
    公开日:2006-06-08
    发明作者:Erich Thallner
    申请人:Thallner, Erich, Dipl.-Ing.；
    IPC主号:H01L21-68
    专利说明:
    [0001] DieErfindung betrifft eine Justiereinrichtung mit einer Aufnahmeeinrichtungzur Aufnahme eines Wafers auf eine Aufnahmeseite der Aufnahmeeinrichtung,wobei die Aufnahmeeinrichtung mindestens eine im wesentlichen orthogonalzur Aufnahmeseite gerichtete Durchtrittsöffnung aufweist. Die Erfindung betrifftweiterhin eine Vorrichtung zum Justieren eines Wafers mit einersolchen Justiereinrichtung.
    [0002] SolcheJustiereinrichtungen werden beispielsweise in einem Bondwerkzeugfür Infrarotjustierungenverwendet. Die Bondwerkzeuge, die auch als Bond Chucks bezeichnetwerden, werden dazu verwendet, um Wafer optisch anhand von Passmarkenim Wafer zu justieren und nachfolgend den justierten Waferstapelin einen Waferbonder zu übertragen.
    [0003] DieJustierung wird beispielsweise mit Infrarotbeleuchtung durchgeführt underfordert Ausschnitte im Bond Chuck/Bondwerkzeug zur Durchleuchtungdes Wafers zu einer gegenüberliegendenErfassungseinrichtung, beispielsweise ein Mikroskop.
    [0004] DieJustiereinrichtung wird am Bond Chuck fixiert und anschließend wirdder Wafer anhand der Passmarken genau ausgerichtet.
    [0005] NachTransfer des Bond Chucks in den Waferbonder wird unter Anwendungvon mechanischem Druck und Temperatur eine permanente Verbindung hergestellt.Die Verbindung der Wafer kann überKlebeschichten (Polymer), Metalle (z. B. Cu-Cu diffusionsbonden)oder Metalllegierungen (z. B. CuSn eutektische Lötlegierung) hergestellt werden.
    [0006] DieAusschnitte werden in die Bond Chucks nach der Herstellung der BondChucks eingebracht. Dabei tritt das Problem auf, dass es auf dereinen Seite es notwendig ist, einen genügend großen Ausschnitt vorzusehen,um eine hohe Lichtausbeute beim Durchtritt durch den Ausschnittzu erhalten. Des weiteren ist die Fertigung von Ausschnitten mitsehr geringem Durchmesser in den etwa 8 mm dicken Bond Chucks technischproblematisch. Auf der anderen Seite tritt jedoch bei der Aufbringungvon Kontaktkraft auf den Wafer z. B. beim Thermokompressionsbondverfahren über demAusschnitt des Bond Chucks eine Druckungleichmäßigkeit auf, die um so größer ist,je größer derDurchmesser des Ausschnittes ist. Die Ausschnittsfläche hinterlässt dadurcheine Fehlstelle im Bond Interface. Mit Bond Interface ist die Verbindungzwischen den Scheiben des Wafers gemeint.
    [0007] Aufgabeder vorliegenden Erfindung ist es daher, eine Justiereinrichtungvorzusehen, mit der gleichzeitig Fehlstellen minimiert bzw. eliminiertwerden und deren Fertigung günstigerist.
    [0008] Grundideeder Erfindung ist es, die Justiereinrichtung im Ausschnitt symmetrischso anzupassen, dass auf der Kontaktseite des Bond Chucks mit demWafer eine möglichstgeringe Ausschnittsfläche mitgenügendemLichtdurchlass und auf der anderen Seite eine fertigungstechnischleicht herzustellende größere Ausschnittsfläche vorgesehenist.
    [0009] Soweitim Zusammenhang mit der Erfindung von Wafer gesprochen wird, stehtdies stellvertretend fürjede Art eines Flächenbauteils,das mit einem flächigenVerbindungselement genau kontaktiert werden muss.
    [0010] Inihrer allgemeinsten Ausführungsformbetrifft die Erfindung eine Justiereinrichtung mit einer Aufnahmeeinrichtungzur Aufnahme eines Wafers auf eine Aufnahmeseite der Aufnahmeeinrichtung, wobeidie Aufnahmeeinrichtung mindestens eine im wesentlichen orthogonalzur Aufnahmeseite gerichtete Durchtrittsöffnung aufweist, die auf derAufnahmeseite einen kleineren Querschnitt aufweist als auf der derAufnahmeseite abgewandten Eintrittsseite der Durchtrittsöffnung.
    [0011] DieAufnahmeeinrichtung kann ein Bond Chuck sein, der den Wafer aufnimmtund diesen gegebenenfalls mit Klammern fixiert. Durch den kleinerenQuerschnitt auf der Aufnahmeseite wird je nach Größe des Querschnittsverhindert, dass Fehlstellen in dem Bond Interface nach Aufbringeneiner Druckkraft an der Stelle der Durchtrittsöffnung auftreten. Dennoch istsichergestellt, dass die Fertigung der Durchtrittsöffnung – beispielsweisedurch Bohren – vonder Eintrittsseite aus und des größeren Querschnitts von derEintrittsseite aus stark vereinfacht wird.
    [0012] Ineiner Ausgestaltung der Erfindung ist die Durchtrittsöffnung soausgestaltet, dass sie einen ersten Abschnitt aufweist, der sichvon der Aufnahmeseite in die Durchtrittsöffnung hineinerstreckt und dessenInnenwandung im wesentlichen parallel zur Mittelachse der Durchtrittsöffnung verläuft. Durch dieseMaßnahmewird die Stabilitätder aufnahmeseitigen Durchtrittsöffnungbei angelegter Druckkraft gewährleistet.Darüberhinaus wird dadurch erreicht, dass der durch die Durchtrittsöffnung durchtretende Lichtstrahlgebündeltwird und eine Brechung des Lichts minimiert wird. Der kleinste Durchmesserdes ersten Abschnitts der Durchtrittsöffnung kann < 7 mm, insbesondere < 5 mm, vorzugsweise < 3 mm und noch bevorzugter < 1 mm sein.
    [0013] Ineiner weiteren Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dassdie Durchtrittsöffnungeinen zweiten Abschnitt aufweist, der sich von dem ersten Abschnittbis zur Eintrittsseite erstreckt, wobei der Querschnitt des zweitenAbschnitts bis zur Eintrittsseite vorzugsweise konisch zunimmt.Durch diese Ausgestaltung wird erreicht, dass das auf dieser Seiteeintretende Licht gebündeltwird und sich die Fertigung der Durchtrittsöffnung auf dieser Seite wesentlicheinfacher gestaltet.
    [0014] DieDurchtrittsöffnungkann im Querschnitt schlitzförmigoder rund ausgebildet sein. Bei einer schlitzförmigen Ausgestaltung ist dieLichtausbeute höherund die Positionierung gestaltet sich etwas einfacher, wohingegendie runde Ausgestaltung leichter zu fertigen ist.
    [0015] Esist weiterhin vorgesehen, dass die Aufnahmeeinrichtung im wesentlichenscheibenförmig istund zwei in der Mittelachse der Aufnahmeeinrichtung angeordneteschlitzförmigeDurchtrittsöffnungenaufweist. Dabei kann die Durchtrittsöffnung 2–12 mm, vorzugsweise jedoch8 mm tief sein. Dies entspricht im wesentlichen der Dicke der Aufnahmeeinrichtung,da die Mittelachse der Durchtrittsöffnung im wesentlichen orthogonalzur Aufnahmeseite der Aufnahmeeinrichtung ist. Darin erstreckt sichder erste Abschnitt von der Aufnahmeseite in die Durchtrittsöffnung undendet nach 0,1 mm–5mm, jedoch vorzugsweise nach 1 mm. Daran schließt sich der zweite Abschnittan, der sich bis zum Ende der Durchtrittsöffnung, d. h. bis zur Eintrittseiteerstreckt. Besonders leicht zu fertigen ist eine konische Erweiterung,die in einem Winkel von 70°–120°, vorzugsweise90° verläuft. Gleichzeitigwird durch diese konische Erweiterung erreicht, dass das Eintretendes Lichts gebündeltund in Richtung des ersten Abschnitts geleitet wird.
    [0016] DieEigenschaften der Justiereinrichtung werden dadurch verbessert,dass die Aufnahmeeinrichtung aus Siliziumkarbid besteht. Alternativkann sie auch aus Titan bestehen. Diese Werkstoffe sind zu bevorzugen,da die Ebenheitstoleranz der Vorder- und Rückseite des Bond Chucks/derAufnahmeeinrichtung besser als bei rostfreien Stahllegierungen ist.Dadurch wird das Bondergebnis nochmals deutlich verbessert.
    [0017] DieErfindung betrifft auch eine Vorrichtung zum Justieren eines Wafersmit einer solchen Justiereinrichtung, wobei Licht, insbesondereInfrarotlicht durch die Durchtrittsöffnung über eine in dem Wafer integrierteStruktur auf eine optische Erfassungseinrichtung trifft und Mittelzur Ausrichtung des Wafers basierend auf den Erfassungsparameternvorgesehen sind.
    [0018] WeitereMerkmale der Erfindung ergeben sich aus den Merkmalen der Unteransprüche sowie densonstigen Anmeldungsunterlagen.
    [0019] DieErfindung wird nachstehend anhand eines Ausführungsbeispieles näher erläutert. Diedarin beschriebenen Merkmale könnensowohl einzeln als auch in beliebigen Kombinationen für die Verwirklichung derErfindung von Bedeutung sein. Dies gilt auch für die Merkmale die vorstehendzur Beschreibung der Vorrichtung und der Justiereinrichtung genanntwurden. Die Figuren der Zeichnung zeigen im einzelnen:
    [0020] 1 einegeschnittene Seitenansicht der erfindungsgemäßen Vorrichtung;
    [0021] 2 eineSeitenansicht der Justiereinrichtung;
    [0022] 3 eineAufsicht auf die Justiereinrichtung;
    [0023] 4 einegeschnittene Seitenansicht der Justiereinrichtung gemäß SchnittlinieA-A aus 3.
    [0024] In 1 isteine Lichtquelle 8 fürinfrarotes Licht dargestellt, die Infrarotlicht durch die Durchtrittsöffnung 5 derJustiereinrichtung schickt und vorzugsweise genau unterhalb derjeweiligen Durchtrittsöffnung 5 angeordnetist. Je nachdem, wie viele Durchtrittsöffnungen 5 in derAufnahmeeinrichtung 4 enthalten sind, kann für jede Durchtrittsöffnung 5 je eineLichtquelle 8 angeordnet sein. Es kann jedoch über nichtdargestellte Umlenkspiegel mit Hilfe einer Lichtquelle 8 Lichtzu mehreren Durchtrittsöffnungen 5 derAufnahmeeinrichtung 4 gesendet werden. Auf der Aufnahmeseite 4a derAufnahmeeinrichtung 4 liegt der Wafer 2, der auszu verbindenden Substraten oder Scheiben, beispielsweise Si (Silizium) – Waferoder Verbundhalbleitermaterialien besteht, auch als Bond Interfacebezeichnet. Die untere Seite der Aufnahmeeinrichtung 4 istals Eintrittsseite 4b fürdas Licht aus der Lichtquelle 8 bezeichnet.
    [0025] Über demWafer 2 und in Verlängerungdes durch die Durchtrittsöffnung 5 undden Wafer 2 tretenden Lichtstrahls ist eine optische Erfassungseinrichtung 7 angeordnet,die beispielsweise ein Mikroskop zum mikrometergenauen Ausrichtender beiden Wafer zueinander ist. Je nachdem, wie viele Durchtrittsöffnungen 5 vorgesehensind, könnenfür jede Durchtrittsöffnung 5 wiederumMikroskope 7 vorgesehen sein. Alternativ kann auch hierdie Erfassung überUmlenkspiegel oder ähnlicheEinrichtungen erfolgen.
    [0026] DieErfassung der Relativposition der zu verbindenden Substrate oderScheiben der Wafer 2 zueinander erfolgt durch gegenüberliegendeStrukturen in den Wafern, anhand derer eine mikrometergenaue Ausrichtungder Wafer 2 überdie Mikroskope 7 möglichist. Als solche Strukturen sind Passmarken 6 vorgesehen,die beispielsweise ein Muster beinhalten, das in den zu verbindendenSubstraten enthalten ist und das zur Ausrichtung durch die Mikroskopeund eine nicht dargestellte Verschiebeeinrichtung dient, die über eineebenfalls nicht gezeigte Steuereinrichtung gesteuert werden.
    [0027] Inden 2, 3 und 4 ist zuerkennen, dass die Aufnahmeeinrichtung 4 in einem Aufnahmerahmen 3 zurAufnahme der Aufnahmeeinrichtung 4 eingesetzt ist. FederbelasteteKlammern 1 dienen zur mechanischen Fixierung nach der Justierung,so dass der justierte Wafer 2 zusammen mit dem Bond Chuck/derAufnahmeeinrichtung 4 weiteren Behandlungsschritten zugeführt werdenkann, ohne zu verrutschen.
    [0028] Inden 1, 3 und 4 sind die Durchtrittsöffnungen 5 dargestellt.Diese sind jeweils unterteilt in einen ersten Abschnitt 5.1,der sich von der Aufnahmeseite 4a in die Durchtrittsöffnung 5 hineinerstreckt. Daran schließtsich der zweite Abschnitt 5.2 an, der sich bis zur Eintrittsseite 4b desLichtes aus der Lichtquelle 8 erstreckt. In der Aufsichtder 3 ist zu erkennen, dass die Durchtrittsöffnung als Schlitzausgebildet ist. Alternativ kann die Durchtrittsöffnung auch rund ausgestaltetsein.
    [0029] Diejeweils gegenüberliegendenInnenwändedes ersten Abschnitts 5.1 der Durchtrittsöffnung 5 verlaufenparallel zueinander. Die Innenwändedes zweiten Abschnitts 5.2 verlaufen von dem ersten Abschnitt 5.1 konischerweiternd bis zu der Eintrittsseite 4b. Dabei ist am Übergangvom ersten Abschnitt 5.1 zum zweiten Abschnitt 5.2 keineStufe vorgesehen, da anderenfalls eine Reflektierung des Lichtsaus der Lichtquelle 8 erfolgt.
    [0030] Wirdder Wafer nach der Justierung mit der erfindungsgemäßen Vorrichtungbzw. Justiereinrichtung zusammen mit dem Bond Chuck 4 ineinem weiteren Verfahrensschritt mit einer Kraft F – dargestellt in 2 durchden Pfeil – beaufschlagt,ist durch die erfindungsgemäße Ausgestaltungder Durchtrittsöffnung 5 dieStelle, an der der Wafer keine Gegenkraft durch den Bond Chuck 4 erfährt, soklein, dass keine Fehlstellen mehr auftreten. Diese Verfahrensschritte unddamit Probleme treten beispielsweise bei Termokompressions-Verfahrenauf, bei welchen beispielsweise Bonds mit Polymerkleber (z. B. BCBDow Corning, SU-8 Microchem), eutektische Bonderbindungen (z. B.Au-Si, Cu-Sn) oder Metall Diffusionsbonds (z.B. Au-Au, Cu-Cu) eingesetztwerden.
    [0031] DieGröße der Durchtrittsöffnung 5 bzw.der Querschnitt der Durchtrittsöffnung 5 ergibtsich je nach Dicke der Wafer 2. Standard Waferdicken sind beispielsweise380–750 μm. Bei denStandard Waferdicken haben sich Durchmesser von ca. 5 mm für die Durchtrittsöffnung 5 bewährt, wenndie Durchtrittsöffnung 5 rundist und 10 mm, wenn sie als Schlitz ausgebildet ist. Bei diesenAusgestaltungen ist jedoch eine Druckungleichmäßigkeit im Bereich der Durchtrittöffnung unvermeidbar.Durch die vorliegende Erfindung wird die Möglichkeit gegeben, die Durchtrittsöffnung 5 bisauf 0,1 mm zu verkleinern. Ein ausgewogenes Verhältnis der Herstellungskosten beiVermeidung von Fehlstellen durch Druckbeaufschlagung wird mit einemQuerschnitt von 1 mm, einer Tiefe des ersten Abschnitts 5.1 von1 mm und einer Tiefe des zweiten Abschnitts von 7 mm und einem Eröffnungswinkeldes zweiten Abschnitts 5.2 von 90° erreicht.
    [0032] Diekonische Erweiterung des zweiten Abschnitts 5.2 verleihtder Aufnahmeeinrichtung 4 eine hohe Steifigkeit um dieDurchtrittsöffnung 5 herum. Einetiefe zylindrische Ansenkung würdedas Material um die Durchtrittsöffnung 5 herumschwächenund eine Ungleichmäßigkeitder Druckverteilung zur Folge haben.
    权利要求:
    Claims (13)
    [1] Justiereinrichtung mit einer Aufnahmeeinrichtung(4) zur Aufnahme eines Wafers (2) auf einer Aufnahmeseite(4a) der Aufnahmeeeinrichtung (4), wobei die Aufnahmeeeinrichtung(4) mindestens eine im wesentlichen orthogonal zur Aufnahmeseite(4a) gerichtete Durchtrittsöffnung (5) aufweist, dadurchgekennzeichnet, dass die Durchtrittsöffnung (5) auf der Aufnahmeseite(4a) einen kleineren Querschnitt aufweist als auf der derAufnahmeseite (4a) abgewandten Eintrittsseite (4b)der Durchtrittsöffnung(5).
    [2] Justiereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass die Durchtrittsöffnung(5) einen ersten Abschnitt (5.1) aufweist, dersich von der Aufnahmeseite (4a) in die Durchtrittsöffnung (5)hinein erstreckt und dessen Innenwandung im wesentlichen parallelzur Mittelachse der Durchtrittsöffnung (5)verläuft.
    [3] Justiereinrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,dass der kleinste Durchmesser (d) des ersten Abschnitts (5.1)der Durchtrittsöffnung(5) kleiner als 7 mm, insbesondere kleiner als 5 mm, vorzugsweisekleiner als 3 mm ist, noch bevorzugter kleiner als 1 mm ist.
    [4] Justiereinrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurchgekennzeichnet, dass die Durchtrittsöffnung (5) einen zweitenAbschnitt (5.2) aufweist, der sich von dem ersten Abschnitt(5.1) bis zur Eintrittsseite (4b) erstreckt, wobeider Querschnitt des zweiten Abschnitts (5.2) bis zur Eintrittsseite(4b), vorzugsweise konisch, zunimmt.
    [5] Justiereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass der Querschnitt der Durchtrittsöffnung (5) schlitzförmig ausgebildetist.
    [6] Justiereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass der Querschnitt der Durchtrittsöffnung (5) rund ausgebildetist.
    [7] Justiereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass die Aufnahmeeinrichtung (4) im wesentlichen scheibenförmig istund zwei in der Mittelachse der Aufnahmeeinrichtung (4)angeordnete, schlitzförmigeDurchtrittsöffnungen(5) aufweist.
    [8] Justiereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass die Durchtrittsöffnung(5) 2 bis 12 mm, vorzugsweise 8 mm, tief ist,
    [9] Justiereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass der erste Abschnitt (5.1) sich von der Aufnahmeseite(4a) um 0,1 mm bis 5 mm, vorzugsweise 1 mm, in die Durchtrittsöffnung (5)erstreckt.
    [10] Justiereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass der zweite Abschnitt (5.2) sich von dem erste Abschnitt(5.1) bis zur Eintrittsseite (4b) erstreckt undin einem Winkel von 70° bis120°, vorzugsweise90°, biszur Eintrittsseite (4b) konisch erweiternd verläuft.
    [11] Justiereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass die Aufnahmeeinrichtung (4) aus Siliziumkarbid besteht.
    [12] Justiereinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,dass die Aufnahmeeinrichtung (4) aus Titan besteht.
    [13] Vorrichtung zum Justieren eines Wafers (2) miteiner Einrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobeiLicht, insbesondere Infrarot-Licht, durch die Durchtrittsöffnung (5) über einein dem Wafer integrierte Struktur auf eine optische Erfassungseinrichtung(7) trifft und Mittel zur Ausrichtung des Wafers (2)basierend auf den Erfassungsparametern, vorgesehen sind.
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    引用文献:
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    法律状态:
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    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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